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NPT1007B
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NPT1007B

NPT1007B

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Voltaje - clasificado:
Las demás:
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
-
Voltaje - prueba:
28 V
El Sr.:
Soluciones de la tecnología de MACOM
Frecuencia:
900MHz
Aumento:
18.3 dB
Envase / estuche:
-
Actual - prueba:
1,4 A
Poder - salida:
53dBm
Tecnología:
HEMT
Grado actual (amperios):
20.5A
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
TRANSISTOR GAN DC-1200MHZ 200W
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
RF Mosfet 28 V 1.4 A 900MHz 18.3 dB 53 dBm

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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