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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Se aplicará el método de ensayo de la siguiente manera:118
  • Se aplicará el método de ensayo de la siguiente manera:118

Se aplicará el método de ensayo de la siguiente manera:118

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
LDMOST
Voltaje - prueba:
28 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
1.81 GHz ~ 1.88 GHz
Aumento:
17.5 dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación.
Actual - prueba:
850 mA
Poder - salida:
60W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
Se trata de una serie de pruebas.
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B del RF
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 28 V 850 mA 1,81 GHz ~ 1,88 GHz 17,5 dB 60 W LDMOST

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609 no. 4018, camino baoan, calle de Xixiang, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
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