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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Se aplicará el método de clasificación de los productos de los Estados miembros.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Envases
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
H-36248-2
Voltaje - prueba:
30 voltios
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia:
765 MHz
Aumento:
18.7dB
Envase / estuche:
2 bolsas planas con plumas de aleta
Actual - prueba:
900 mA
Poder - salida:
150 W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
FET RF LDMOS 170W H36248-2
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet RF 30 V 900 mA 765 MHz 18,7 dB 150 W H-36248-2

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609 no. 4018, camino baoan, calle de Xixiang, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
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