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Se aplicará el método de ensayo de la siguiente manera:118
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Se aplicará el método de ensayo de la siguiente manera:118

Se aplicará el método de ensayo de la siguiente manera:118

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el código ISO/IEC 17046.
Voltaje - prueba:
28 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
1.81 GHz ~ 1.88 GHz
Aumento:
18dB
Envase / estuche:
Se trata de un documento de expediente de la Comisión.
Actual - prueba:
1,9 A
Poder - salida:
70W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
65A
Número del producto de base:
Se trata de una serie de pruebas.
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 28 V 1,9 A 1,81 GHz ~ 1,88 GHz 18 dB 70 W SOT539B

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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