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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Descatalogado en Digi-Key
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Envases
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el código ISO/IEC 17046.
Voltaje - prueba:
32 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
1Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernad
Aumento:
16.1 dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación.
Actual - prueba:
750 mA
Poder - salida:
550W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
2.8 μA
Número del producto de base:
BLC10
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Los datos de las pruebas de ensayo de los vehículos de la categoría B1 y B2 se utilizarán en el ensa
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 32 V 750 mA 1,805 GHz ~ 1,88 GHz 16,1 dB 550 W SOT1258-4

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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