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Se aplicará el método de ensayo de la norma de calidad.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un artículo de la Ley n.o 718/2001.
Voltaje - prueba:
28 V
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia:
960Mhz
Aumento:
18.5dB
Envase / estuche:
2 bolsas planas con plumas de aleta
Actual - prueba:
750 mA
Poder - salida:
110W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
10µA
Número del producto de base:
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet RF 28 V 750 mA 960 MHz 18,5 dB 110 W PG-63248-2

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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