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Se aplicará el método de clasificación de las unidades de producción de las unidades de producción.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
H-36265-2
Voltaje - prueba:
30 voltios
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia:
2.11 GHz ~ 2.17 GHz
Aumento:
16.5 dB
Envase / estuche:
H-36265-2
Actual - prueba:
550mA
Poder - salida:
18w
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
-
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
IC FET RF LDMOS
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 30 V 550 mA 2,11 GHz ~ 2,17 GHz 16,5 dB 18 W H-36265-2

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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