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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
Las demás:
Paquete:
el tubo
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC-EP
Voltaje - prueba:
28 V
El Sr.:
Soluciones de la tecnología de MACOM
Frecuencia:
3.3 GHz ~ 3.8 GHz
Aumento:
10.5 dB
Envase / estuche:
Almohadilla expuesta 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Actual - prueba:
200 mA
Poder - salida:
1.7W
Tecnología:
HEMT
Grado actual (amperios):
5A
Número del producto de base:
NPT35015
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
HEMT N-CH 28V 18W 3300-3800MHZ
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 28 V 200 mA 3,3 GHz ~ 3,8 GHz 10,5 dB 1,7 W 8-SOIC-EP

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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