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Se aplicará a los productos de la categoría "A" y "B".
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
-
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Soluciones de la tecnología de MACOM
Frecuencia:
2Se trata de un sistema de transmisión por radio.
Aumento:
12dB
Envase / estuche:
-
Actual - prueba:
500 mA
Poder - salida:
100W
Tecnología:
HEMT
Grado actual (amperios):
4.2A
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Transistor GAN 100W de 2,7 a 3,1 GHz
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
RF Mosfet 50 V 500 mA 2,7 GHz ~ 3,1 GHz 12 dB 100 W

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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