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A2I08H040GNR1
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A2I08H040GNR1

A2I08H040GNR1

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Configuración:
Dual
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-270WBG-15
Voltaje - prueba:
28 V
El Sr.:
NXP USA Inc.
Frecuencia:
920MHz
Aumento:
30.7dB
Envase / estuche:
TO-270-15 Variante, ala de la gaviota
Actual - prueba:
25 mA
Poder - salida:
9W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
A2I08
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
IC RF LDMOS AMP
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
RF Mosfet 28 V 25 mA 920MHz 30.7dB 9W hasta 270WBG-15

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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