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PD20010S-E
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PD20010S-E

PD20010S-E

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Voltaje - clasificado:
40 V
Paquete:
el tubo
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
PowerSO-10RF (plomo recto)
Voltaje - prueba:
13,6 V
El Sr.:
STMicroelectrónica
Frecuencia:
2GHz
Aumento:
11dB
Envase / estuche:
PowerSO-10RF Pad de fondo expuesto (2 líneas rectas)
Actual - prueba:
150 mA
Poder - salida:
10W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
5A
Número del producto de base:
PD20010
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
FET POWERSO-10RF DEL TRANSPORTE RF N-CH
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
RF Mosfet 13.6 V 150 mA 2GHz 11dB 10W PotenciaSO-10RF (plomo recto)

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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