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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Configuración:
Canal N
Voltaje - clasificado:
3 V
Paquete:
la tira
Serie:
-
Figura de ruido:
0.85dB
Voltaje - prueba:
2 V
El Sr.:
CEL
Frecuencia:
20GHz
Aumento:
10.5 dB
Envase / estuche:
4-SMD, conductores planos
Actual - prueba:
6mA
Poder - salida:
-
Tecnología:
GaAs HJ-FET
Grado actual (amperios):
15mA
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI y otros productos de la industria de la energía
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
RF Mosfet 2 V 6 mA 20 GHz 10,5 dB

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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