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Se aplicará el método de ensayo de la prueba.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
H33288-2
Voltaje - prueba:
30 voltios
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia:
765 MHz
Aumento:
19dB
Envase / estuche:
H33288-2
Actual - prueba:
1,8 A
Poder - salida:
220W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
-
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
FET RF LDMOS 240W H33288-2
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet RF 30 V 1,8 A 765 MHz 19 dB 220 W H-33288-2

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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