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A3G18H500-04SR3 y sus componentes
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A3G18H500-04SR3 y sus componentes

A3G18H500-04SR3 y sus componentes

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
125 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Configuración:
Dual
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El NI-780S-4L
Voltaje - prueba:
48 voltios
El Sr.:
NXP USA Inc.
Frecuencia:
1Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernad
Aumento:
15.4 dB
Envase / estuche:
El NI-780S-4L
Actual - prueba:
200 mA
Poder - salida:
10 W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
A3G18
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
MOSFET de RF LDMOS 48V NI-780S-4L
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 48 V 200 mA 1,805 GHz ~ 1,88 GHz 15,4 dB 107 W NI-780S-4L

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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