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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - clasificado:
133 V
Paquete:
el tubo
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220-3
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
NXP USA Inc.
Frecuencia:
1.8 MHz ~ 250 MHz
Aumento:
21.1 dB
Envase / estuche:
TO-220-3
Actual - prueba:
100 mA
Poder - salida:
115W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
10µA
Número del producto de base:
Se trata de un documento de identificación.
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
MOSFET de RF LDMOS 50V TO220-3
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfeto de RF 50 V 100 mA 1,8 MHz ~ 250 MHz 21,1 dB 115 W TO-220-3

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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