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Artículo 2
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Voltaje - clasificado:
200 V
Paquete:
Envases
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
Arte
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones.
Voltaje - prueba:
65 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
1 MHz ~ 400 MHz
Aumento:
28.9 dB
Envase / estuche:
Se trata de un artículo de la Directiva 2008/57/CE.
Actual - prueba:
600 mA
Poder - salida:
2000 W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
1,4 µA
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Artículo 2 del Reglamento (CE) n.o 1069/2009
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
RF Mosfet 65 V 600 mA 1MHz ~ 400MHz 28,9 dB 2000W SOT539AN

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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