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1012GN-800V
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1012GN-800V

1012GN-800V

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
150 V
Paquete:
En bruto
Configuración:
-
Serie:
V
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
55-KR
Voltaje - prueba:
54 V
El Sr.:
Tecnología de microchips
Frecuencia:
1Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernad
Aumento:
19.3 dB
Envase / estuche:
55-KR
Actual - prueba:
120 mA
Poder - salida:
825 W
Tecnología:
-
Grado actual (amperios):
-
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
TRAN, GAN, 1030/1090 MHZ, 800 W,
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfeto de RF 54 V 120 mA 1,025 GHz ~ 1,15 GHz 19,3 dB 825 W 55-KR

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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