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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Envases
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un proyecto de investigación.
Voltaje - prueba:
28 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
1.81 GHz ~ 1.88 GHz
Aumento:
15.4 dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación.
Actual - prueba:
1,1 A
Poder - salida:
580W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
BLC9
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Se trata de un sistema de transmisión de radio de alta frecuencia.
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 28 V 1,1 A 1,81 GHz ~ 1,88 GHz 15,4 dB 580 W SOT-1258-7

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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