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A3V26S004NT6
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A3V26S004NT6

A3V26S004NT6

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
105,0 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en el documento de r
Voltaje - prueba:
48 voltios
El Sr.:
NXP USA Inc.
Frecuencia:
2.496 GHz ~ 2.69 GHz
Aumento:
23.3 dB
Envase / estuche:
Pad expuesto de 6-LDFN
Actual - prueba:
16 mA
Poder - salida:
26 dBm
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
10µA
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
La energía de la RF AIRFAST LDMOS TRANSISTO
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 48 V 16 mA 2,496 GHz ~ 2,69 GHz 23,3 dB 26 dBm 6-PDFN (4x4,5)

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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