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A3G26D055N-100: las pruebas de seguridad de los vehículos
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A3G26D055N-100: las pruebas de seguridad de los vehículos

A3G26D055N-100: las pruebas de seguridad de los vehículos

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
125 V
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en el documento de r
Voltaje - prueba:
48 voltios
El Sr.:
NXP USA Inc.
Frecuencia:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernade
Aumento:
13.9 dB
Envase / estuche:
Pad expuesto de 6-LDFN
Actual - prueba:
40 mA
Poder - salida:
8w
Tecnología:
GaN
Grado actual (amperios):
-
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Circuito de RF REF 25W 100-2800MHZ
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
RF Mosfet 48 V 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 13.9 dB 8W 6-PDFN (7x6.5)

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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