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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El NI-780H-2L
Voltaje - prueba:
28 V
El Sr.:
NXP USA Inc.
Frecuencia:
1.88GHz
Aumento:
17dB
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Actual - prueba:
1,1 A
Poder - salida:
125W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
Se trata de la siguiente información:
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
FET RF 65V 1,88 GHz NI780
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet RF 28 V 1,1 A 1,88 GHz 17 dB 125 W NI-780H-2L

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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