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BLF647P,112
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BLF647P,112

BLF647P,112

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Envases
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
LDMOST
Voltaje - prueba:
32 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
1.3GHz
Aumento:
18dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación de la Comisión.
Actual - prueba:
100 mA
Poder - salida:
200w
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
-
Número del producto de base:
Se trata de un documento de identidad.
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A del RF
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet RF 32 V 100 mA 1,3 GHz 18 dB 200 W LDMOST

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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