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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltaje - clasificado:
65 V
Paquete:
Envases
Serie:
-
Figura de ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el código ISO/IEC 17046.
Voltaje - prueba:
28 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
2.11 GHz ~ 2.2 GHz
Aumento:
18.4 dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación.
Actual - prueba:
864 mA
Poder - salida:
35W
Tecnología:
ldmos
Grado actual (amperios):
2.8 μA
Número del producto de base:
BLC9
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
MOSFET de RF LDMOS 28V SOT1271-3
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Mosfet de RF 28 V 864 mA 2,11 GHz ~ 2,2 GHz 18,4 dB 35 W SOT1271-2

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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