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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de datos de ensayo.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
100 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
sp1
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
1.9V @ 15V, 75A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
600 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
sp1
El Sr.:
Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
µA 250
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
250 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
4.62 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor lleno del puente
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
- ¿Qué es eso?
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Se aplicará el método de ensayo de la luz de la luz de la luz.
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de puente completo 600 V 100 A 250 W Montura del chasis SP1

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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