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NXH400N100H4Q2F2SG
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NXH400N100H4Q2F2SG

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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
409 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
-
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 400A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1000 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de unidades de producción de los vehículos de la categoría M1 es el número de unidades de
El Sr.:
en semi
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
µA 500
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
959 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
26.093 nF @ 20 V
Configuración:
Inversor de tres niveles
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Mercado de masas 250KW 1500V Q2 PACK
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres niveles 1000 V 409 A 959 W Montado en el chasis 42-PIM/Q2PACK (93x47)

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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