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FZ600R17KE3S4HOSA1
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FZ600R17KE3S4HOSA1

FZ600R17KE3S4HOSA1

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
A 1200
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
c
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.45V @ 15V, 600A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1700 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 125°C
Actual - atajo del colector (máximo):
3 mA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
Las demás
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbono
Configuración:
No casado
Termistor de NTC:
- No, no lo sé.
Número del producto de base:
El FZ600R17
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
El número de módulos IGBT será el siguiente:
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Módulo IGBT Parador de campo de zanja único 1700 V 1200 A 3150 W Módulo de montaje del chasis

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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