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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
140 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
SP6
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 100A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplican las siguientes condiciones:
El Sr.:
Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
µA 250
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
517 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
6.2 nF @ 25 V
Configuración:
Trifásico
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
Los datos de los datos de los Estados miembros.
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calculará en función de l
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Modulo IGBT Parada de campo de zanja de tres fases 1200 V 140 A 517 W Montura del chasis SP6-P

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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