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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
350 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
SP6
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.4V @ 15V, 200A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
SP6
El Sr.:
Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
100 µA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
1000W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
12.3 nF @ 25 V
Configuración:
Puente lleno
Termistor de NTC:
- No, no lo sé.
Número del producto de base:
ApteGLQ200
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Módulo IGBT Parada de campo de zanja Puente completo 1200 V 350 A 1000 W Montura del chasis SP6

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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