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NXH80T120L3Q0S3G
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NXH80T120L3Q0S3G

NXH80T120L3Q0S3G

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
75 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
-
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.4V @ 15V, 80A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.
El Sr.:
en semi
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
300 µA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
188 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
18.15 nF @ 20 V
Configuración:
medio puente
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
La generación de PIM3 Q0PACK 1200V, 80
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Módulo IGBT Trench Field Stop Medio puente 1200 V 75 A 188 W Montado en el chasis 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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