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APT35GT120JU2
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APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
55 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
ISOTOP
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 35A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-227
El Sr.:
Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
5 mA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
260 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
2.53 nF @ 25 V
Configuración:
No casado
Termistor de NTC:
- No, no lo sé.
Número del producto de base:
Apte35GT120
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Se aplicará el método de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Módulo IGBT Parada de campo de zanja única 1200 V 55 A 260 W Montado de chasis SOT-227

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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