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FP35R12N2T7B11BPSA1
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FP35R12N2T7B11BPSA1

FP35R12N2T7B11BPSA1

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
35 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
EconoPIM™ 2
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
1.6V @ 15V, 35A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
AG-ECONO2B
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
7 µA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
20 mW
Ingreso:
puente rectificador trifásico
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
6.62 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor trifásico
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
FP35R12: las condiciones de los productos
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
La energía de los motores de combustión interna es muy baja.
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 1200 V 35 A 20 mW Montado del chasis AG-ECONO2B

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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