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FZ1200R33HE3BPSA1
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FZ1200R33HE3BPSA1

FZ1200R33HE3BPSA1

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
A 1200
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
El IHM-B
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
3.2V @ 15V, 1200A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
Los demás
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 150°C
Actual - atajo del colector (máximo):
5 mA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
13000 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
Las emisiones de CO2 de las centrales eléctricas
Configuración:
Puente lleno
Termistor de NTC:
- No, no lo sé.
Número del producto de base:
FZ1200
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Se aplicará el método de ensayo de la norma ISO/IEC 1704:2008.
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Módulo IGBT Trench Field Stop Puente completo 3300 V 1200 A 13000 W Módulo de montaje del chasis

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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