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MG50P12E2
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MG50P12E2

MG50P12E2

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
50 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 50A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
-
El Sr.:
Tecnología Yangjie
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
1 mA
Tipo de IGBT:
-
Poder - máximo:
227 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
2.6 nF @ 25 V
Configuración:
No casado
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Transistores - IGBT - módulos E2
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Modulo IGBT Montaje del chasis de 1200 V 50 A 227 W

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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