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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.
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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.

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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
950 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
HybridPACK™
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
1.35V @ 15V, 450A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
750 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
AG-HYBRIDD-2
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
1 mA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
870 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
80 N-F @ 50 V
Configuración:
Inversor trifásico
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Se aplicará el método de ensayo de la norma de la CE.
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 750 V 950 A 870 W Montado del chasis AG-HYBRIDD-2

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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