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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Las condiciones de las pruebas de seguridad deberán ser las siguientes:
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
118 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Cuadro
Serie:
-
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.6V @ 15V, 75A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
-
El Sr.:
General semiconductor - división de Vishay de los diodos
Actual - atajo del colector (máximo):
100 µA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
431 W
Ingreso:
Estándar
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Configuración:
Puente lleno
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Módulo IGBT trench Field Stop Puente completo 1200 V 118 A 431 W Montado en el chasis

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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