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Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en todos los casos.
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Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en todos los casos.

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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
50 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
-
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 50A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las demás partidas de los demás materiales
El Sr.:
en semi
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
200 µA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
186 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
9.075 nF @ 20 V
Configuración:
2 independiente
Termistor de NTC:
- No, no lo sé.
Número del producto de base:
NXH100
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Módulo IGBT Parada de campo de zanja 2 independiente 1200 V 50 A 186 W Chasis montado 22-PIM (55x32.5)

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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