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A2C50S65M2
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A2C50S65M2

A2C50S65M2

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
50 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
-
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 50A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
650 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
AcepackTM 2
El Sr.:
STMicroelectrónica
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Actual - atajo del colector (máximo):
100 µA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
208,0 W
Ingreso:
puente rectificador trifásico
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
4.15 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor trifásico con el freno
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
A2C50
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
El número de módulos de transmisión de la unidad IGBT será el número de módulos de transmisión de la
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Módulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases con freno 650 V 50 A 208 W Montado de chasis ACEPACKTM 2

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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