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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
40 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
El SP2
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 25A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SP2
El Sr.:
Microsemi Corporation
Temperatura de funcionamiento:
-
Actual - atajo del colector (máximo):
µA 250
Tipo de IGBT:
Tratado de No Proliferación Nuclear (TNP) y el campo de detención
Poder - máximo:
227 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
2.02 nF @ 25 V
Configuración:
Puente lleno
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
Los datos de las personas afectadas
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
El módulo IGBT 1200V 40A 227W SP2
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Modulo IGBT NPT y Fieldstop Puente completo 1200 V 40 A 227 W a través del agujero SP2

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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