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Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - atajo del colector (máximo):
3 mA
Estado del producto:
Descatalogado en Digi-Key
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
EconoDUALTM 3
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 600A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 150°C
Poder - máximo:
Los demás
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Envase / estuche:
Módulo
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
37 N-F @ 25 V
Configuración:
2 independiente
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
Se trata de una serie de medidas de control.
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
El módulo IGBT 1200V 3350W
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Modulo IGBT Parada de campo de zanja 2 Modulo independiente de montaje de chasis de 1200 V 3350 W

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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