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FP75R12KT3BOSA1 y sus componentes
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FP75R12KT3BOSA1 y sus componentes

FP75R12KT3BOSA1 y sus componentes

Detalles del producto
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Actual - colector (Ic) (máximo):
105 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete:
Envases
Serie:
EconoPIMTM 3
Envase / estuche:
Módulo
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 75A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
1200 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 125°C
Actual - atajo del colector (máximo):
1 mA
Tipo de IGBT:
Parada de campo del foso
Poder - máximo:
355 W
Ingreso:
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
5.3 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor trifásico
Termistor de NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
FP75R12: las condiciones de los productos
Pago y términos de envío
Las existencias
En stock
Método de envío
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Descripción
Las emisiones de gases de efecto invernadero de las instalaciones eléctricas de los Estados miembros
Condiciones de pago
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Descripción de producto
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 1200 V 105 A 355 W Modulo de montaje del chasis

Etiquetas:

Chip CI del transistor,

Microprocesador integrado,

Microprocesador integrado SMD

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