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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
9Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
NoBL™
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
100-TQFP (14x20)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
200 MHz
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
3.2 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
512K x 18
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1356
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almace
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria SDR sincrónica de 9 Mbit paralelo a 200 MHz de 3,2 ns 100-TQFP (14x20)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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