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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
F-RAM™
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
110ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de la categoría M1 y M2
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
2Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
110 ns
Envase / estuche:
48-TFBGA
Organización de la memoria:
128K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FRAM (RAM ferroeléctrico)
Número del producto de base:
Se trata de la siguiente:
Formato de memoria:
FRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utilizará para la obtención
Descripción de producto
FRAM (RAM ferroeléctrica) IC de memoria paralela de 2Mbit 110 ns 48-FBGA (6x8)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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