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Se aplicará el método de ensayo de los datos de los equipos de ensayo de los Estados miembros.
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Se aplicará el método de ensayo de los datos de los equipos de ensayo de los Estados miembros.

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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
9Mbit
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
El bolso
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las condiciones de los productos de la categoría 1 se establecen en el anexo I.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
133 megaciclos
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
6,5 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
512K x 18
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1363 y sus derivados
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almace
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria SDR síncrona de 9 Mbit paralelo a 133 MHz 6,5 ns 100-TQFP (14x14)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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