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Se aplicará el método de ensayo de los datos de los equipos de ensayo de los Estados miembros.
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Se aplicará el método de ensayo de los datos de los equipos de ensayo de los Estados miembros.

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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
12ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje de aluminio
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
12 ns
Envase / estuche:
48-TFBGA
Organización de la memoria:
256K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 125 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Asincrónico
Número del producto de base:
CY7C1041
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables.
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria asíncrona de 4Mbit paralelo 12 ns 48-FBGA (7x8.5)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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