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CY7C1250KV18-400BZI: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción.
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CY7C1250KV18-400BZI: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción.

CY7C1250KV18-400BZI: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción.

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
36Mbit
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
165-FBGA (13x15)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
400 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.9V
Envase / estuche:
165-LBGA
Organización de la memoria:
el 1M x 36
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
El número de unidades de recolección de datos será el número de unidades de recolección de datos.
Número del producto de base:
CY7C1250
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almace
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria sincrónica DDR II+ de 36 Mbit paralelo a 400 MHz 165-FBGA (13x15)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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