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DS1230Y-70IND+
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
El tubo
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
70ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
28-EDIP
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Las autoridades francesas han señalado que la Comisión no ha tenido en cuenta las conclusiones del T
Tamaño de la memoria:
256 Kbit
Voltagem - Suministro:
4.5V ~ 5.5V
Tiempo de acceso:
70 ns
Envase / estuche:
Modulo 28-DIP (0,600" y 15,24 mm)
Organización de la memoria:
32K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número del producto de base:
Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Formato de memoria:
NVSRAM
Pago y términos de envío
Descripción
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP y sus componentes
Descripción de producto
NVSRAM (SRAM no volátil) IC de memoria de 256 Kbit paralelo 70 ns 28-EDIP

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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