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Se aplicará el método de ensayo de los datos de los equipos de ensayo de los Estados miembros.
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Se aplicará el método de ensayo de los datos de los equipos de ensayo de los Estados miembros.

Se aplicará el método de ensayo de los datos de los equipos de ensayo de los Estados miembros.

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
2Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
100-TQFP (14x20)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
133 megaciclos
Voltagem - Suministro:
3,15 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
4 años
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
64K x 32
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1329
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almace
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria SDR sincrónica de 2Mbit paralelo a 133 MHz 4 ns 100-TQFP (14x20)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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