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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
12ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de velocidad.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
3Mbit
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
12 ns
Envase / estuche:
Las demás:
Organización de la memoria:
128K x 24
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Asincrónico
Número del producto de base:
CY7C1024
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
Las unidades de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la u
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria asíncrona de 3Mbit paralelo 12 ns 119-PBGA (14x22)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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