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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
9Mbit
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
165-FBGA (13x15)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
167 megaciclos
Voltagem - Suministro:
2.4V ~ 2.6V
Envase / estuche:
165-LBGA
Organización de la memoria:
256K x 36
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las e
Número del producto de base:
Las condiciones de los productos de la categoría 1 se especifican en el anexo II.
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria DDR sincrónica de 9 Mbit paralelo a 167 MHz 165-FBGA (13x15)

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