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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
El tubo
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
20ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
48-FBGA (6x10)
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
20 ns
Envase / estuche:
48-TFBGA
Organización de la memoria:
256K x 16
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número del producto de base:
CY14B104
Formato de memoria:
NVSRAM
Pago y términos de envío
Descripción
Las unidades de las unidades de las unidades de las unidades de las unidades de las unidades de las
Descripción de producto
Las unidades de almacenamiento de memoria de 4 Mbits paralelo a 20 ns 48-FBGA (6x10)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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